高盛指出◈✿，中国本土光刻企业的技术水平较国际同行至少落后 20 年◈✿。光刻技术是半导体制造的核心环节之一龙8国际◈✿，也是目前制约中国高端

　　由于美国政府制裁华为其从台积电采购芯片◈✿，华为不得不转向中芯国际寻求芯片供应◈✿。但进一步的制裁措施禁止中芯国际采购极紫外（EUV）光刻设备龙8国际◈✿，导致中国企业目前仅能生产 7 纳米芯片◈✿。值得注意的是◈✿，这些芯片很可能仍依赖 ASML 的老旧深紫外（DUV）设备制造 —— 由于光刻设备的核心部件来自全球供应链（尤其是美欧国家）◈✿，中国目前尚不具备自主生产先进光刻机的能力◈✿。高盛最新报告显示◈✿，中国本土光刻设备行业的技术水平或落后 ASML 达 20 年之久新山爱里龙8国际◈✿。

　　光刻是芯片制造流程中的关键工序◈✿，其原理是将掩膜版上的芯片设计图案转移到硅晶圆上◈✿。ASML 的极紫外（EUV）及高数值孔径（High-NA）EUV 光刻机等高端设备新山爱里◈✿，能够在硅晶圆上刻蚀更小的电路图案龙8国际◈✿，从而提升芯片性能◈✿。图案转移完成后新山爱里◈✿，还需经过刻蚀◈✿、薄膜沉积新山爱里◈✿、晶圆清洗等多道工序◈✿，最终形成芯片布局新山爱里◈✿。

　　由于光刻技术直接决定了晶圆上精细电路的复制能力◈✿，光刻设备已成为芯片制造流程中的核心瓶颈◈✿。高盛在报告中强调新山爱里◈✿，中国本土行业要达到 ASML 当前的芯片制造技术水平◈✿，至少还需要 20 年时间龙8国际官方网站登录◈✿。◈✿。

　　当前龙8国际◈✿，台积电等领先芯片制造商已实现 3 纳米芯片量产◈✿，并正筹备 2 纳米产品的研发龙8国际龙8国际◈✿。高盛指出◈✿：“ASML 从 65 纳米技术迭代至 3 纳米以下龙8国际唯一官方网站登录◈✿，耗费了 20 年时间与 400 亿美元研发及资本支出龙8游戏官方进入◈✿。” 而中国本土光刻设备厂商目前仍停留在 65 纳米技术阶段◈✿，数据表明龙8国际龙8游戏唯一官方网站◈✿，◈✿，其短期内追赶西方技术的可能性较低◈✿。返回搜狐◈✿，查看更多