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龙8唯一官网2 半导体材料的基本|上体育课课用跳D的感觉|特性参数

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   表面散射✿✿ღ★ღ:各种与表面相关联的因素对载 流子迁移率的附加影响✿✿ღ★ღ;  越靠近表面✿✿ღ★ღ,影响越大✿✿ღ★ღ,对电子影响大于 空穴✿✿ღ★ღ;

   半导体器件工作过程中✿✿ღ★ღ,同时存在漂移✿✿ღ★ღ、 扩散龙8唯一官网✿✿ღ★ღ、复合✿✿ღ★ღ;  漂移✿✿ღ★ღ:电场力的作用✿✿ღ★ღ,外加或内建电场✿✿ღ★ღ;  扩散✿✿ღ★ღ:载流子浓度梯度✿✿ღ★ღ;  与少子寿命相关的器件特性✿✿ღ★ღ: 阻断特性上体育课课用跳D的感觉龙8唯一官网✿✿ღ★ღ、开关特性✿✿ღ★ღ、导通特性等✿✿ღ★ღ;

      晶格振动✿✿ღ★ღ:格子基本波动的叠加✿✿ღ★ღ; 在轻掺杂下起主要作用✿✿ღ★ღ; 声子✿✿ღ★ღ:量子化的基本能量单元✿✿ღ★ღ; 光学支和声学支✿✿ღ★ღ;横振动和纵振动✿✿ღ★ღ;

   发射光子上体育课课用跳D的感觉龙8唯一官网✿✿ღ★ღ,即辐射复合✿✿ღ★ღ;  发射声子✿✿ღ★ღ,能量转化为晶格振动✿✿ღ★ღ,发射声 子✿✿ღ★ღ;  激发另外的电子或空穴✿✿ღ★ღ,即俄歇复合✿✿ღ★ღ;

   主要是对于依靠少子输运的双极器件而言 的✿✿ღ★ღ;  输运载流子的结区积聚效应✿✿ღ★ღ;  反抽作用✿✿ღ★ღ;

   耗尽近似的空间电荷区是阻断作用的主功 能区✿✿ღ★ღ,是不稳定的非平衡态✿✿ღ★ღ,其恢复平衡 态的趋势的强弱(用少子寿命τ衡量)✿✿ღ★ღ,影 响阻断特性✿✿ღ★ღ; 2 qni DP  由反向扩散电流✿✿ღ★ღ: J RD 

   少子寿命对导通特性的影响✿✿ღ★ღ,主要是双极 器件✿✿ღ★ღ;  少子的电导调制具有低的电阻和高的电流 控制能力✿✿ღ★ღ;

   杂质(缺陷)能级显著积累非平衡载流子 的效应✿✿ღ★ღ;常见少子陷阱✿✿ღ★ღ;  电子陷阱✿✿ღ★ღ:rnrp;空穴陷阱:rprn✿✿ღ★ღ;  影响✿✿ღ★ღ:显著影响少子寿命

   本征载流子✿✿ღ★ღ:本征热激发✿✿ღ★ღ;  掺杂载流子✿✿ღ★ღ:n型掺杂和p型掺杂✿✿ღ★ღ;  注入载流子✿✿ღ★ღ:光注入和电注入✿✿ღ★ღ;

   本征或轻掺杂半导体中✿✿ღ★ღ,导带✿✿ღ★ღ、价带✿✿ღ★ღ、禁 带之间界限清晰✿✿ღ★ღ;  重掺杂(杂质原子百分比≥1/1000)时✿✿ღ★ღ,会 出现禁带窄化效应✿✿ღ★ღ;  杂质原子近距减小上体育课课用跳D的感觉✿✿ღ★ღ,相互作用增强✿✿ღ★ღ,能带 出现杂化上体育课课用跳D的感觉上体育课课用跳D的感觉✿✿ღ★ღ,能级分裂成能带✿✿ღ★ღ;

   热电击穿✿✿ღ★ღ: 反向U下✿✿ღ★ღ,高电流密度产热✿✿ღ★ღ,热又增加载流 子密度✿✿ღ★ღ,电流增大✿✿ღ★ღ,产热增多✿✿ღ★ღ,如此循环✿✿ღ★ღ, JS无限增大击穿✿✿ღ★ღ;

   基本属性参数✿✿ღ★ღ:禁带宽度Eg✿✿ღ★ღ、临界雪崩击 穿电场强度Et✿✿ღ★ღ、介电常数ε✿✿ღ★ღ、载流子饱和速 度Vs✿✿ღ★ღ;  基本特性参数✿✿ღ★ღ:载流子迁移率μ✿✿ღ★ღ、载流子密 度n(p)✿✿ღ★ღ、少数载流子寿命τ✿✿ღ★ღ;

   由前可知✿✿ღ★ღ:开关特性要求τ小✿✿ღ★ღ,阻断特性✿✿ღ★ღ、 导通特性和光电池要求τ大✿✿ღ★ღ;  故应根据器件特性✿✿ღ★ღ,进行优选✿✿ღ★ღ;  优选少子寿命✿✿ღ★ღ,主要是是指选择合适的复 合中心✿✿ღ★ღ,即杂质或缺陷中心的能级✿✿ღ★ღ;

   平衡状态下龙8唯一官网✿✿ღ★ღ,载流子的产生与复合是动态平 衡的✿✿ღ★ღ;  光照✿✿ღ★ღ、电场等外加激励都会引起非平衡载流 子的注入✿✿ღ★ღ;  少子寿命是从非平衡态恢复到平衡态的时间✿✿ღ★ღ;  非平衡载流子密度远少于多子✿✿ღ★ღ,大于少子上体育课课用跳D的感觉✿✿ღ★ღ, 故其影响主要是非平衡少子的影响

   直接复合✿✿ღ★ღ:直接在导带与价带之间的复合✿✿ღ★ღ;  间接复合✿✿ღ★ღ:通过禁带中的复合中心的复合✿✿ღ★ღ;  表面复合✿✿ღ★ღ:发生在表面的复合✿✿ღ★ღ;

   弱电场下✿✿ღ★ღ,u是常数✿✿ღ★ღ;强场下 ✿✿ღ★ღ, u 是E的 函数✿✿ღ★ღ;不同材料✿✿ღ★ღ,标准不同✿✿ღ★ღ;  两种趋势✿✿ღ★ღ:随E增大✿✿ღ★ღ,Vd增速减缓✿✿ღ★ღ,最终 趋于饱和✿✿ღ★ღ;随E增大龙8唯一官网✿✿ღ★ღ,Vd增速减缓,E进一 步增大✿✿ღ★ღ, Vd减小✿✿ღ★ღ,出现负微分迁移现象✿✿ღ★ღ;  热载流子效应




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